众多电源系统正在从硅 (Si) 技术向碳化硅 (SiC) 技术转变。这将是自 20 世纪 80 年代双极型半导体向绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 转变以来，功率半导体行业经历的较大变革。这种转变发生的同时，许多受其影响的产业也正在经历着不同寻常的全面变革时期。从汽车行业到太阳能，碳化硅 (SiC) 的优势已经变得不可忽视。在经历巨大变革的同时，所有主要厂商都在努力将碳化硅 (SiC) 进一步集成到自身技术之中。

    汽车产业是现代工业经历前所未有变化的一个典型例子。在未来十年，汽车产业将从内燃机向电动化转变。硅 (Si) 到碳化硅 (SiC) 的转变，在助力电动汽车满足消费者需求的效率方面发挥着重大作用，同时还可符合针对气候变化影响的政府法规。碳化硅 (SiC) 解决方案正在帮助电动汽车“更上一层楼”，提升快速充电基础设施、驱动逆变器和电源等应用，并促进电信、军事和航空航天等应用取得进步。

    随着消费者需求的不断增长和政府法规的加强，特斯拉 (Tesla)、福特 (Ford) 和大众 (Volkswagen) 等汽车制造商宣布，未来十年将在电动汽车领域投资超过 3,000 亿美元。分析师预计，到 2030 年，纯电动汽车 (BEV) 数量将达到汽车总量的 15%。因此，未来几年，用于电动汽车的碳化硅 (SiC) 元器件市场将呈指数级增长。

    电动化如此受到重视，使得制造商们无法再对碳化硅 (SiC) 的优势视而不见。与传统电动汽车采用的硅 (Si) 技术相比，碳化硅 (SiC) 可提高电池续航里程、改善其性能并缩短充电时间。因此，许多供应商都宣布与 Cree 合作开展电动汽车计划。例如，德尔福科技 (Delphi Technologies) 正在利用碳化硅 (SiC) 半导体开发更高效、更小型、更轻量的逆变器系统，而采埃孚集团 (ZF Group) 则正在开发全电驱动动力总成。ABB 集团正在开发和提供各种采用碳化硅 (SiC) 的功率系统。

    碳化硅 (SiC) 的开关损耗比硅 (Si) 基 IGBT 低得多。此外，碳化硅器件没有内建电压，其导通损耗也明显较低。因此，碳化硅 (SiC) 的功率密度更高、重量更轻且工作频率更高。在最近的一次汽车测试中，与硅 (Si) 相比，Cree 的碳化硅 (SiC) 技术将逆变器损耗降低了约 78%。

    在汽车领域，这些效率提升可用于动力总成解决方案、功率转换器以及非车载充电机和车载充电机。与传统的硅 (Si) 基解决方案相比，碳化硅 (SiC) 可使电动汽车的整体效率提高 5% 至 10%。制造商可以借助这一点来提升续航里程，或减少使用笨重且昂贵的电池。此外，碳化硅 (SiC) 还可降低冷却要求、节省空间，重量也比硅 (Si) 基方案轻。碳化硅 (SiC) 还可为快速充电机提供支持，目前充电 5 分钟可提高续航 75 英里。

    碳化硅 (SiC) 解决方案成本的持续下降带来其采用率的进一步提高。以汽车为例，我们估计，一辆电动汽车所采用碳化硅 (SiC) 元器件的价值约为 250 美元至 500 美元（取决于其功率要求）。而汽车制造商在每辆电动汽车的电池成本、电池和逆变器的体积与重量，以及冷却要求方面所节省的总成本可高达 2,000 美元。虽然还有许多因素在推动着从硅 (Si) 到碳化硅 (SiC) 的转变，但这一点是关键。

    成本是之前制约碳化硅 (SiC) 采用的主要障碍。但伴随着产量和经验的不断增进，其成本也在持续下降。因此其制造也变得更加高效和精炼。更重要的是，客户逐渐意识到碳化硅 (SiC) 的真正价值在于系统层面，而非器件级别的比较。为了满足各个产业的需求，碳化硅 (SiC) 制造将进一步提升，产量将不断增长，从而其价格也将继续下降。以 Cree 作为一个参考，Cree 为了满足这些需求，开展了大规模的投资，包括在纽约州建造采用领先前沿技术且满足车规级标准的工厂，将使得产能提升至 2017 年的 30 倍以上。

    从硅 (Si) 到碳化硅 (SiC) 的转变，已经不再是会否发生与何时发生的问题，我们已经身处其中。全面地参与到诸多产业的巨大变革之中，令人激动不已。这些产业的未来绝对不会是一成不变的，我们一定会继续看到前所未有的变化。而那些能够快速适应这些变化的制造商，则定将收获丰硕的成果。